SiGe:C低噪声高线性度放大器 | NXP 半导体

SiGe:C低噪声高线性度放大器

  • 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改,恕不另行通知。如需了解其他信息,请联系支持人员或您的销售代表。

滚动图片以放大

产品详情

特征

  • 低噪声系数(NF) = 0.85 dB(2500 MHz时)
  • 高线性度性能:IP3O = 36 dBm(2500 MHz时)
  • 高输入和输出回波损耗
  • 无条件稳定
  • 110 GHz转折频率 - SiGe:C技术
  • 电源电压:3.3 V
  • 3 mm × 3 mm × 0.85 mm的小型10端子无铅封装
  • 所有引脚均提供ESD保护
  • 潮湿敏感度等级1

Target Applications

  • 适合无线基础设施应用的LNA(2.3 GHz至2.8 GHz)
  • 低噪声应用

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

计算机辅助设计模型

ICC [typ] (mA)

@f [max] (MHz)

Gass (dB)

NF (dB)

PL(1dB) (dBm)

IP3o (dBm) [Typ]

RLin (dB)

RLout [Typ] (dB)

90

2500

18.5

0.85

13.5

36

23

19.5

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

3 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

1 设计文件

支持

您需要什么帮助?

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.