设计文件
收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息 电子CAD文件.
N沟道FET
N沟道对称硅结型场效应晶体管，采用SOT23封装。
产品详情
特征
- 高增益
- 低截止电压
- 低漏电水平
目标应用
- 阻抗转换器，例如在驻极体麦克风和红外检测器中
- 振荡器和混频器中的VHF放大器
购买/参数
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
