N沟道双栅极MOSFET | NXP 半导体

安全互联汽车

工业

消费电子

技术

N沟道双栅极MOSFET

BF1212WR 停产
  • 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改，恕不另行通知。如需了解其他信息，请联系支持人员或您的销售代表。

滚动图片以放大

增强型N沟道双栅极场效应晶体管，其源极和基板互联。栅极和源极之间的集成式二极管可防止过大的输入电压浪涌。采用SOT343R塑料封装。

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

部件

展开描述

计算机辅助设计模型

VDS [max] (V)

ID [max] (mA)

IDS [min] (mA)

IDS [max] (mA)

VGSth [min] (V)

VGSth [max] (V)

|yfs| [min]

|yfs| [max]

Ciss [typ]

Coss [typ]

NF [typ] (dB)

@f (MHz)

VHF

UHF

BF1212WR
数据手册

6

30

8

16

0.3

1

28

43

1.7

0.9

1.1

800

N

Y

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

筛选条件

3 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.
筛选条件

3 设计文件

支持

您需要什么帮助?

  • Narrow your search
搜索

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.