低电阻单刀单掷模拟开关 | NXP 半导体

低电阻单刀单掷模拟开关

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产品详情

特征

  • 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
  • 极低的导通电阻(峰值):
    • VCC = 1.4 V时为1.6 Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V时为1.0 Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V时为0.55 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V时为0.50Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V时为0.50 Ω(典型值)
  • 高抗噪性
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114E 3A类超过7500 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • 低功耗CMOS
  • 闭锁性能超过JESD 78 II类A级规定的100 mA
  • 1.8 V控制逻辑,VCC = 3.6 V
  • 控制输入接受高于电源电压的电压
  • 极低的电源电流,即便输入低于VCC
  • 高电流处理能力(3.3 V供电时有350 mA的连续电流)
  • 额定温度范围为-40°C至+85°C和-40°C至+125°C

Target Applications

  • 手机
  • PDA
  • 便携式媒体播放器

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

6 文件

紧凑列表

包装信息 (1)
封装信息 (1)
应用笔记 (2)
支持信息 (1)
数据手册 (1)

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

1 设计文件

支持

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