双N沟道双栅极MOSFET | NXP 半导体

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两个双栅极MOS场效应晶体管，具有共用的源极引脚和栅极2引脚。

购买/参数

部件展开描述	计算机辅助设计模型	V_DS [max] (V)	I_D [max] (mA)	I_DS [min] (mA)	I_DS [max] (mA)	V_GSth [min] (V)	V_GSth [max] (V)	\|y_fs\| [min]	\|y_fs\| [max]	C_iss [typ]	C_oss [typ]	NF [typ] (dB)	@f (MHz)	VHF	UHF
BF1206 数据手册		6	30	14	23	0.3	1	33	48	2.4	1.1	1.6	800	Y	Y

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4 文件

紧凑列表

plastic, surface-mounted package; 6 terminals; 0.65 mm pitch; 2 mm x 1.25 mm x 0.95 mm body[SOT363]

PDFJan 9, 2017版本更新 1.1

Reflow Soldering Profile[REFLOW_SOLDERING_PROFILE]

PDFFeb 17, 2014版本更新 1.0
MAR_SOT363 Topmark[MAR_SOT363]

PDFJun 2, 2013版本更新 1.0

Dual N-channel dual-gate MOS-FET[BF1206]

PDFDec 30, 2010版本更新 1.1

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