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880 MHz，10 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道宽带射频功率MOSFET

MRFE6S9045NR1
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MRFE6S9045NR1专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用而设计。这些器件具有高增益，宽带性能优异，适用于28 V基站设备中的大信号共源放大器应用。
N true 0 PSPMRFE6S9045NR1zh 1 数据手册 Data Sheet t520 1 zh zh zh 数据手册 Data Sheet 1 1 0 English Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. 1192914127306702980079 PSP 583.2 KB None None documents None 1192914127306702980079 /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf 583222 /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf MRFE6S9045N documents N N 2016-10-31 ARCHIVED - MRFE6S9045NR1 880 MHz, 10 W Avg., 28 V Single N-CDMA, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2022-12-07 pdf N en Oct 22, 2007 980000996212993340 Data Sheet Y N ARCHIVED - MRFE6S9045NR1 880 MHz, 10 W Avg., 28 V Single N-CDMA, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs false 0 MRFE6S9045NR1 downloads zh-Hans true 1 Y PSP 数据手册 1 /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf 2016-10-31 1192914127306702980079 PSP 1 Oct 22, 2007 Data Sheet Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. None /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf English documents 583222 None 980000996212993340 2022-12-07 N /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf ARCHIVED - MRFE6S9045NR1 880 MHz, 10 W Avg., 28 V Single N-CDMA, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs /docs/en/data-sheet/MRFE6S9045N.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 0 N N ARCHIVED - MRFE6S9045NR1 880 MHz, 10 W Avg., 28 V Single N-CDMA, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs 583.2 KB MRFE6S9045N N 1192914127306702980079 true Y Products

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