300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V RF Power GaN Transistor

  • 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改,恕不另行通知。如需了解其他信息,请联系支持人员或您的销售代表。

滚动图片以放大

产品详情

特征

  • Advanced GaN on SiC, for optimal thermal performance
  • Characterized for CW, long pulse (up to several seconds) and short pulse operations
  • Device can be used in a single-ended or push-pull configuration
  • Input matched for simplified input circuitry
  • 适用于55 V电压
  • 适合线性应用
  • 符合RoHS规范
  • 工业加热
  • Welding and heat sealing
  • 等离子生成
  • 照明
  • Scientific instrumentation
  • 医疗
    • 微波消融
    • 透热疗法

部件编号包含: MRF24G300H, MRF24G300HS, MRF24G300HS-2450.

射频性能表

负载不匹配/耐用性

频率
(MHz)
信号类型 VSWR 输入功率
(W)
测试
电压
结果
2450脉冲
(100 µsec,20%占空比)
> 20:1
at All Phase Angles
12.6 Peak55无设备退化

典型性能

In 2400-2500 MHz MRF24G300HS reference circuit, VDD = 48 Vdc, VGS(A+B) = –5 Vdc (1)
频率
(MHz)
信号类型 输入功率
(W)
输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
2400连续波10.033615.370.4
245010.033215.273.0
250010.030714.974.4
1. 所有数据均在一个装置中测量,设备焊接到散热器上。

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

5 文件

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

2 设计文件

支持

您需要什么帮助?