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3.5 GHz，3 W，6 V功率FET GaAs pHEMT

MRFG35003N6AT1
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MRFG35003N6AT1专为500至5000 MHz频率范围的WLL/MMDS/BWA或UMTS驱动器应用而设计。该器件未匹配，适用于AB类用户端设备(CPE)应用。

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产品详情

特征

  • 典型单载波W-CDMA性能：VDD = 6 V，IDQ = 180 mA，平均输出功率 = 450 mW，3550 MHz，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。
    功率增益：10 dB
    漏极效率：27%
    5 MHz偏移时的ACPR：在3.84 MHz信道带宽时为–42.5 dBc
  • 3550 MHz连续波时，3 W P1dB
  • 卓越的相位线性和组时延特征
  • 高增益、高效率和高线性
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，12 mm卷带宽度，7英寸卷盘。

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状态

MRFG35003N6A
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