2700-2900 MHz，320 W，30 V横向N信道宽带射频功率MOSFET

MRF8P29300HR6和MRF8P29300HSR6射频功率晶体管专为2700至2900 MHz频率范围的应用而设计。这些器件适用于脉冲应用。

查看产品图片

数据手册

产品详情

特征

典型脉冲性能：V_DD = 30 V，I_DQ = 100 mA

信号类型输出功率
(W) f
(MHz) G_ps
(dB) η_D
(%) IRL
(dB)

脉冲(100 µsec，
10%占空比) 320峰值 2900 13.3 50.5 –17
在32 Vdc，2900 MHz，320 W连续波峰值功率，300 µsec，10%空占比(3 dB过驱额定输出功率)时，能承受10:1 VSWR
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
工作电压最高可达32 V_DD
集成的ESD保护
专为推挽操作而设计
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R6后缀 = 150个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

信号类型	输出功率 (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
脉冲(100 µsec， 10%占空比)	320峰值	2900	13.3	50.5	–17

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

V_DD = 30 Volts, I_DQ = 100 mA

Signal Type	Pout (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)	320 Peak	2900	13.3	50.5	–17

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2900 MHz, 320 Watts Peak Power, 300 µsec, 10% Duty Cycle (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)

文档

快速参考恩智浦文档类别.

3 文件

数据手册
ARCHIVED - MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

PDF版本 0Feb 24, 20111.1 MBMRF8P29300HEnglish
封装信息
98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 HOct 25, 2019159.0 KBSOT1787-1English
封装信息
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 HFeb 23, 201644.6 KBSOT1829-1English

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 6 设计文件

收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息电子CAD文件.

模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Mar 2, 2012 00:00:00297.2 KBMRF8P29300H_MDL_AWR

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:00237.8 KBMRF8P29300H_MDL_ADS

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 S-Parameters

S2P版本 0Feb 24, 2011 00:00:0034.4 KBMRF8P29300H_SP

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
计算器
MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Feb 24, 2011 00:00:0034.7 KBMRF8P29300H_MTTF_CALC

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

展开

2700-2900 MHz，320 W，30 V横向N信道宽带射频功率MOSFET

产品详情

特征

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

文档

过滤方式

ARCHIVED - MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

设计资源

设计文件

过滤方式

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 S-Parameters

MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

筛选条件

支持

您需要什么帮助?

推荐链接