MHE1003N_2450 MHz，220 W连续波，26 V | NXP 半导体

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2450 MHz，220 W连续波，26 V射频功率LDMOS晶体管，适用于消费电子和商用烹饪

MHE1003N
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MHE1003N 12.5 W连续波高效射频功率晶体管专为消费电子和商用烹饪应用而设计，工作频率为2450 MHz ISM频段。

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RF Performance Tables

典型性能

VDD = 26 Vdc，IDQ = 50 mA
频率
(MHz)		 信号类型 Gps
(dB)		 功率附加效率
(%)		 输出功率
(W)
2400连续波14.061.5230
245013.962.0224
250011.561.8214

负载不匹配/耐用性

频率
(MHz)		 信号类型 VSWR 输入功率
(W)		 测试
电压		 结果
2450连续波> 10:1
所有相角		 20
(3 dB过驱)		28无器件退化
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