MMRF1016H_2-500 MHz, 600 W, 50 V

MMRF1016H_2-500 MHz, 600 W, 50 V | NXP 半导体

产品
已停产
MMRF1016H

滚动图片以放大

The MMRF1016HR5 600 W RF power LDMOS transistor is designed primarily for wideband RF power amplifiers with frequencies up to 500 MHz. This device is unmatched and is suitable for use in high power military applications.

数据手册

文档

快速参考恩智浦文档类别.

2 文件

紧凑列表

98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1787-1]

PDFOct 25, 2019版本更新 H

MMRF1016HR5 2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET - Data Sheet[MMRF1016H]

PDFJul 24, 2014版本更新 0

设计资源

收到完整的详细信息。 请参阅 eCad 文件中的产品足迹等。

支持

您需要什么帮助?

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.

购物车

2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET

文档

过滤方式

封装信息 (1)

98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1787-1]

数据手册 (1)

MMRF1016HR5 2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET - Data Sheet[MMRF1016H]