1930-1990 MHz，12 W平均值，28 V，双载波N-CDMA横向N沟道射频功率MOSFET | NXP 半导体

1930-1990 MHz，12 W平均值，28 V，双载波N-CDMA横向N沟道射频功率MOSFET | NXP 半导体

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MRF6S19060NR1和MRF6S19060NBR1专为1930至1990 MHz频率范围的N-CDMA基站应用而设计。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。用于AB类的PCN-PCS/移动通信无线电和WLL应用。

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98ASA10575D, TO, 23.0x8.0x2.59, Pitch 12.0, 4 Pins[SOT1735-1]

PDFMar 17, 2016版本更新 F
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

PDFJan 18, 2016版本更新 F

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009版本更新 0
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3263]

PDFJun 7, 2006版本更新 0

MRF6S19060NR1, MRF6S19060NBR1 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S19060N]

PDFDec 27, 2010版本更新 5

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