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MRF6S19060N
1930-1990 MHz,12 W平均值,28 V,双载波N-CDMA横向N沟道射频功率MOSFET
MRF6S19060N
停产
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TO-270WB-4, TO-272WB-4 Package Images
MRF6S19060NR1和MRF6S19060NBR1专为1930至1990 MHz频率范围的N-CDMA基站应用而设计。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。用于AB类的PCN-PCS/移动通信无线电和WLL应用。
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MRF6S19060NR1, MRF6S19060NBR1 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
PDF
版本 5
Dec 27, 2010
954.8 KB
MRF6S19060N
English
应用笔记
AN1955 - Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes
PDF
版本 1
Apr 30, 2014
112.4 KB
AN1955
English
应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 3
May 13, 2009
910.7 KB
AN1907
English
应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 0
Mar 12, 2009
449.7 KB
AN3789
English
应用笔记
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
PDF
版本 0
Jun 7, 2006
8.3 MB
AN3263
English
封装信息
98ASA10575D, TO, 23.0x8.0x2.59, Pitch 12.0, 4 Pins
PDF
版本 F
Mar 17, 2016
73.4 KB
SOT1735-1
English
封装信息
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins
PDF
版本 F
Jan 18, 2016
75.9 KB
SOT1736-1
English
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