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A2T18S162W31S
1805-1880 MHz,32 W平均值,28 V Airfast
®
射频功率LDMOS
A2T18S162W31S
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RF ISOs NI-780S-2L2LA NI-780GS-2L2LA
A2T18S162W31SR3和A2T18S162W31GSR3 32 W射频功率晶体管专为1805至1880 MHz频率范围且需要超宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。
数据手册
产品详情
选择区域:
RF Performance Table
RF Performance Table
1800 MHz
典型单载波W-CDMA性能:V
DD
= 28 Vdc,I
DQ
= 1000 mA,平均输出功率 = 32 W,输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。
频率
G
ps
(dB)
η
D
(%)
输出PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
1805 MHz
19.2
33.0
7.1
–34.8
–10
1840 MHz
20.1
33.9
7.0
–34.6
–16
1880 MHz
19.6
34.2
6.8
–34.3
–8
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文档类别
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过滤方式
文件类型
清除全部
数据手册
清除全部
1 文件
数据手册
ARCHIVED - A2T18S162W31S, A2T18S162W31GS 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast
®
RF Power LDMOS Transistors Data Sheet
PDF
版本 0
May 29, 2015
474.5 KB
A2T18S162W31S
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