Javascript must be enabled to view full functionality of our site.
NXP
产品
应用
设计中心
技术支持
公司
在线购买
语言
English
中文
日本語
한국어
订单
中文
产品
处理器和微控制器
模拟和混合信号
音频和无线设备
接口
电源管理
射频
RFID/NFC
安全与认证
传感器
无线连接
产品查找工具
恩智浦产品信息
设计建议工具
已停产
A2T18S162W31S
1805-1880 MHz,32 W平均值,28 V Airfast
®
射频功率LDMOS
A2T18S162W31S
存档
接收通知
本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改,恕不另行通知。如需了解其他信息,请联系支持人员或您的销售代表。
滚动图片以放大
RF ISOs NI-780S-2L2LA NI-780GS-2L2LA
A2T18S162W31SR3和A2T18S162W31GSR3 32 W射频功率晶体管专为1805至1880 MHz频率范围且需要超宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。
数据手册
产品详情
选择区域:
RF Performance Table
RF Performance Table
1800 MHz
典型单载波W-CDMA性能:V
DD
= 28 Vdc,I
DQ
= 1000 mA,平均输出功率 = 32 W,输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。
频率
G
ps
(dB)
η
D
(%)
输出PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
IRL
(dB)
1805 MHz
19.2
33.0
7.1
–34.8
–10
1840 MHz
20.1
33.9
7.0
–34.6
–16
1880 MHz
19.6
34.2
6.8
–34.3
–8
文档
快速参考恩智浦
文档类别
.
恩智浦 (1)
筛选条件
完成
过滤方式
清除全部
数据手册
清除全部
1 文件
数据手册
ARCHIVED - A2T18S162W31S, A2T18S162W31GS 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast
®
RF Power LDMOS Transistors Data Sheet
PDF
版本 0
May 29, 2015
474.5 KB
A2T18S162W31S
English
安全文件正在加载,请稍等
支持
您需要什么帮助?
Narrow your search
搜索
推荐链接
在恩智浦网络社区提问