MRF6S20010N_1600-2200 MHz, 10 W, 28 V | NXP 半导体

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1600-2200 MHz, 10 W, 28 V, GSM/EDGE, N-CDMA, W-CDMA LDMOS射频功率晶体管

MRF6S20010N 存档
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MRF6S20010NR1和MRF6S20010GNR1专为1600至2200 MHz频率范围的A类或AB类通用应用而设计。适用于模拟与数字调制和多用途放大器应用。

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