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MRF6V13250H
1300 MHz,250 W,50 V射频功率LDMOS
MRF6V13250H
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RF_ISO_NI780_NI780S_465_465A
MRF6V13250HR3和MRF6V13250HSR3射频功率晶体管专为1300MHz频率范围的应用而设计。这些器件适用于连续波和脉冲应用。
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RF Performance Tables
RF Performance Tables
典型脉冲性能
典型脉冲性能:V
DD
= 50 V,I
DQ
= 100 mA
信号类型
输出功率
(W)
f
(MHz)
G
ps
(dB)
η
D
(%)
IRL
(dB)
脉冲(200 µsec,
10%占空比)
250峰值
1300
22.7
57.0
–18
在50 Vdc,1300 MHz,250 W脉冲峰值功率,10%占空比,200 µsec时,能承受10:1 VSWR的负载失配,所有相角
典型连续波性能
典型连续波性能:V
DD
= 50 V,I
DQ
= 10 mA,T
C
= 61°C
信号类型
输出功率
(W)
f
(MHz)
G
ps
(dB)
η
D
(%)
IRL
(dB)
连续波
230连续波
1300
20.0
53.0
–25
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数据手册
ARCHIVED - MRF6V13250HR3, MRF6V13250HSR3 1300 MHz, 250 W, 50 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
PDF
版本 1
Jul 15, 2011
858.4 KB
MRF6V13250H
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