AFT27S010N_100-3600MHz，平均1.26W，28V

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特性

增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
带有内部射频反馈的通用宽带驱动器件
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀=1000个，16mm卷带宽度，7英寸卷盘。

射频性能表

700MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 80mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
728MHz	24.3	25.5	9.3	–44.0	–12
748MHz	24.3	24.7	9.4	–43.9	–12
768MHz	24.3	23.8	9.5	–43.6	–12

2100MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 90mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2110MHz	21.6	23.2	9.1	–42.0	–11
2140MHz	21.8	23.	9.0	–41.5	–15
2170MHz	21.7	22.6	8.7	–41.7	–15

2300MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 90mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2300MHz	21.2	23.6	9.0	–40.9	–10
2350MHz	21.6	22.6	8.6	–40.0	–22
2400 MHz	20.7	21.0	8.3	–40.1	–9

2600MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 90mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
2500MHz	19.6	22.0	9.8	–44.8	–7
2600MHz	21.0	22.7	9.4	–41.4	–15
2700MHz	19.6	21.2	8.9	–39.7	–5

3500MHz

典型单载波W-CDMA性能：V_DD = 28Vdc，I_DQ = 80mA，平均输出功率 = 1.26W，输入信号PAR = 9.9dB @ 0.01% CCDF。⁽¹⁾

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
3400MHz	14.7	15.8	9.0	–44.9	–7
3500MHz	16.0	16.8	9.0	–44.9	–8
3600MHz	16.0	17.4	8.6	–44.2	–4

1. 所有数据均在一个装置中测量，设备焊接到散热器上。

购买/参数

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文档

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3 文件

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98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

PDFFeb 15, 2016版本更新 A

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N[AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI]

PDFNov 25, 2013版本更新 0

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

PDFDec 30, 2015版本更新 3

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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AFT27S010N 700 MHz S-Parameters

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AFT27S010N 2100-2700 MHz S-Parameters

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AFT27S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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AFT27S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file

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AFT27S010N 2300 MHz PCB DXF file

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AFT27S010N 700 MHz PCB DXF file

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计算器
AFT27S010NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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100-3600MHz，1.26W平均值，28V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

700MHz

2100MHz

2300MHz

2600MHz

3500MHz

购买/参数

文档

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封装信息 (1)

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

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Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N[AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI]

数据手册 (1)

ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

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封装信息 (1)

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

支持信息 (1)

Two New Cellular Base Station Drivers: AFT27S006N and AFT27S010N[AIRFAST_6W_10W_DRIVERS_TRN_SI]

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ARCHIVED - AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[AFT27S010N]

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AFT27S010N 700 MHz S-Parameters

AFT27S010N 2100-2700 MHz S-Parameters

AFT27S010N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT27S010N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file

AFT27S010N 2600 MHz PCB DXF file

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AFT27S010N 700 MHz PCB DXF file

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AFT27S010N 2100 MHz PCB DXF file

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