10位双向低电压变换器
- 本页面包含有关样品阶段产品的信息。此处的规格和信息如有更改，恕不另行通知。如需了解其他信息，请联系支持人员或您的销售代表。
射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位(GTL-TVC)提供低通态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2010提供10个带有共栅(GREF)的NMOS传输晶体管(Sn和Dn)和一个参考晶体管(SREF和DREF)。该器件允许1.0 V和5.0 V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。
当Sn或Dn端口为低电平时，钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上有更高的电压，当Dn端口为高电平时，Sn端口上的电压限制为参考晶体管(SREF)设置的电压。当Sn端口为高电平时，上拉电阻会将Dn端口上拉至VCC。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换，而无需方向控制。
所有晶体管具有相同的电特性，输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的，所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同，所以可在任何其他十个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF，允许更方便的电路板布局。变换器的晶体管为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。
产品详情
框图
特征
- 10位双向低电压变换器
- 允许1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V总线(允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS电平)之间的电压电平变换
- 提供双向电压变换，无方向引脚
- 输入和输出引脚(Sn/Dn)之间有低6.5 Ω导通状态阻抗(Ron)
- 支持热插入
- 无需电源：不会闭锁
- 5 V耐受输入
- 低待机电流
- 直通引出线便于印刷电路板走线排布
- ESD保护：按JESD22-A114超过2000 V HBM，按JESD22-A115超过200 V MM，按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 提供的封装：TSSOP24、HVQFN24
目标应用
- 需要双向或单向电压电平变换的任何应用(从1.0 V至5.0 V的任意电压到1.0 V至5.0 V之间的任意电压转换)
- 无方向引脚的开漏结构非常适合双向低电压(例如，1.0 V、1.2 V、1.5 V或1.8 V)处理器I²C总线端口变换至普通3.3 V和/或5.0 V I²C总线信号电平或GTL/GTL+变换至LVTTL/TTL信号电平。
购买/参数
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
文档
快速参考恩智浦 文档类别.