10-600 MHz，300 W，50 V单端宽带射频功率LDMOS | NXP 半导体

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MRF6V4300NR1和MRF6V4300NBR1专为频率高达600 MHz的连续波大信号输出和驱动应用而设计。这两款未匹配的器件适用于工业、医疗和科学应用。

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^数据手册
ARCHIVED - MRF6V4300NR1, MRF6V4300NBR1, 10-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFETs

PDF版本 3Apr 28, 2010836.1 KBMRF6V4300NEnglish
^手册
Industrial, Scientific and Medical Solutions Brochure

PDF版本 9Oct 3, 20141.3 MBBR1593English

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