MRFE6VP5300N_300 W连续波，1.8-600 MHz，50 V

MRFE6VP5300NR1和MRFE6VP5300GNR1高耐用性器件专为高VSWR工业(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、航空和无线/陆地移动应用而设计。它们采用输入和输出未匹配设计，支持更宽的频率范围，1.8-600 MHz。

查看产品图片

数据手册

产品详情

特征

宽工作频率范围
非常耐用
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的稳定性增强功能
低热阻
集成的ESD保护电路
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，44 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

RF Performance Tables

87.5-108 MHz宽带

V_DD = 50 Vdc

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,3)	连续波	361	23.8	80.1

230 MHz窄带

V_DD = 50 Vdc

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
230⁽²⁾	连续波	300	25.0	70.0
230⁽²⁾	脉冲(100 µsec， 20%占空比)	300峰值	27.0	71.0

耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
98⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	3 (3 dB 过驱)	50	无器件退化
230⁽²⁾	脉冲 (100 µsec， 20%占空比)	>65:1 所有相角	1.16峰值 (3 dB 过驱)	50	无器件退化

1. 在87.5-108 MHz的宽带参考电路上测量。
2. 在230 MHz的窄带测试电路上测量。
3. 显示的值为指定频率范围内的最小测得性能数。

文档

快速参考恩智浦文档类别.

5 文件

^数据手册
ARCHIVED - MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF版本 1Jun 16, 20141.1 MBMRFE6VP5300NEnglish
^封装信息
98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

PDF版本 EMar 17, 201675.2 KBSOT1736-2English
^封装信息
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

PDF版本 FJan 18, 201675.9 KBSOT1736-1English
^支持信息
Rugged Plastic for Industrial Applications

PDF版本 0May 23, 2014295.3 KBRF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRNEnglish
^白皮书
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF版本 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWPEnglish

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5 / 6 设计文件

收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息电子CAD文件.

^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
MRFE6VP5300N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00143.4 KBMRFE6VP5300N_MDL_ADS
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
MRFE6VP5300N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015 00:00:00410.9 KBMRFE6VP5300N_MDL_AWR
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^{印刷电路板与电路图}
MRFE6VP5300N 88-108 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Jun 17, 2014 00:00:00426.6 KBMRFE6VP5300N_88_108_PCB
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^计算器
MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Mar 25, 2014 00:00:0036.4 KBMRFE6VP5300N_MTTF_CALC
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

展开

1.8-600 MHz，300 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

产品详情

特征

RF Performance Tables

87.5-108 MHz宽带

230 MHz窄带

耐用性

文档

过滤方式

ARCHIVED - MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

Rugged Plastic for Industrial Applications

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

设计资源

设计文件

过滤方式

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP5300N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP5300N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP5300N 88-108 MHz PCB DXF file

MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

筛选条件

支持

您需要什么帮助?

推荐链接