NPN宽频带硅锗RF晶体管

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特征

  • 低噪声高线性度RF晶体管
  • 110 GHz fT硅锗技术
  • 可实现低电流和高增益的最佳线性度
  • 低最小噪声系数:0.50 dB(2.4 GHz时)和0.74 dB(5.8 GHz时)
  • 适合2.4 GHz ISM频段和4.9 GHz至5.9 GHz U-NII频段的低元器件数Wi-Fi LNA应用电路,具有优化的RF性能:
    • 低电流:10.8 mA
    • 噪声系数:< 1.2 dB
    • 增益:13.1 dB(2.4 GHz时),12.2 dB(5 GHz时)
    • 高IP3:15.7 dBm(2.4 GHz时),18.8 dBm(5 GHz时)
    • 极快的开/关时间
    • 无条件稳定
  • 通过不同应用电路可实现的更高的IP3、更高的增益或更低的噪声系数

Target Applications

  • 高线性度应用
  • 中等输出功率应用
  • Wi-Fi / WLAN / WiMAX
  • ZigBee

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

4 文件

设计文件

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1 设计文件

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